检索结果分析
- 新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法
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申请号：CN201810223262.2
申请日：20180319
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域,公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法,掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能,掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2#3倍,并且材料...
- 一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置
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申请号：CN201710875549.9
申请日：20170925
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于方钴矿化合物制备技术领域，公开了一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置，包括：以化学计量比称量的样品为起始原料，置于底端的石墨管中，采用高频电磁感应加热方式，在极短时间内使样品熔融为液态；从熔体上方...