检索结果分析
- 硅光电检测器
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申请号：CN200720124644.7
申请日：20070703
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N<SUP>+</SUP>层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P<SUP>+</SUP>型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具...
- P+PIN硅光电探测器
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申请号：CN200710078673.9
申请日：20070702
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种P<SUP>+</SUP>PIN硅光电探测器，包括下部的N<SUP>+</SUP>层、中部的非掺杂本征层、上部含有P<SUP>+</SUP>型浓硼扩散层的硼扩散区，N<SUP>+</SUP>层的下表面设置...