P+PIN硅光电探测器
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200710078673.9
申 请 日：20070702
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20071219
公 开 号：CN101090138A
代 理 人：胡荣珲
代理机构：重庆志合专利事务所
摘 要：本发明公开了一种P+PIN硅光电探测器，包括下部的N+层、中部的非掺杂本征层、上部含有P+型浓硼扩散层的硼扩散区，N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度。本发明减薄了高浓度掺杂层的P+型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子—空穴对数目得以增加，使得探测器的响应度得以提高。
主 权 项：1.一种P+PIN硅光电探测器，包括下部的N+层、中部的非掺杂本征层、上部含有P+型浓硼扩散层的硼扩散区，N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，其特征在于：所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度。
关 键 词：
法律状态：撤回
IPC专利分类号：H01L31/105(2006.01)