硅光电检测器
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN200720124644.7
申 请 日：20070703
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20080625
公 开 号：CN201078806Y
代 理 人：胡荣珲
代理机构：重庆志合专利事务所
摘 要：本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，所述硼扩散区的面积小于非掺杂本征层的面积，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度，一钝化薄膜层覆盖于P型欧姆接触层表面和入射光窗口底部。本实用新型减薄了高浓度掺杂层的P+型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子一空穴对数目得以增加，使得检测器的响应度得以提高。
主 权 项：1.一种硅光电检测器，包括下部的N+层、中部的非掺杂本征层、上部含有P+型浓硼扩散层的硼扩散区，N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，其特征在于：所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，所述硼扩散区的面积小于非掺杂本征层的面积，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度，一钝化薄膜层覆盖于P型欧姆接触层表面和入射光窗口底部。
关 键 词：
法律状态：终止
IPC专利分类号：H01L31/105(2006.01);H01L31/0248(2006.01);H01L31/0352(2006.01)