检索结果分析
- 三维多孔镍薄膜的制备方法
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申请号：CN201310174939.5
申请日：20130513
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：三维多孔镍薄膜的制备方法,包括：提供紫铜片作为阴极并提供镍片作为阳极；配制电镀液,所述电镀液中NiSO4含量为1.0～2.0mol/L,H2SO4含量为0.1～0.3mol/L,H3BO3含量为0.8～1.0mol/L,...
- 三维多孔镍薄膜的制备方法
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申请号：CN201310174939.5
申请日：20130513
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：三维多孔镍薄膜的制备方法，包括：提供紫铜片作为阴极并提供镍片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中NiSO4含量为1.0～2.0mol/L，H2SO4含量为0.1～0.3mol/L，H3BO3含量为0.8～1.0mol/L，...
- 纳米铜立方体颗粒的制备方法
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申请号：CN201310030322.6
申请日：20130125
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：纳米铜立方体颗粒的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.02～0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2～0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%～...
- 一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状材料及其制备方法
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申请号：CN201210345503.3
申请日：20120910
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状结构材料及其制备方法，由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料，在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料，其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3～16，该纳米花状结构...