纳米铜立方体颗粒的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310030322.6 

申 请 日：20130125 

发 明 人：黎学明罗彬彬李先丽李晓林李武林 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20130508 

公 开 号：CN103088371A 

代 理 人：张群峰;范晓斌 

代理机构：北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 

摘　　要：纳米铜立方体颗粒的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.02～0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2～0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%～4%，电镀液pH值为5.0～7.5；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。根据本发明方法所制备的纳米铜立方体纯度高、形状规则、颗粒大小均匀并且抗氧化性优良。 

主 权 项：一种纳米铜立方体颗粒的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.02～0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2～0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%～4%，电镀液pH值为5.0～7.5；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C25C5/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I