三维多孔镍薄膜的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310174939.5 

申 请 日：20130513 

发 明 人：黎学明陈沛伶李晓林李武林杨文静 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20130814 

公 开 号：CN103243357A 

代 理 人：张群峰;范晓斌 

代理机构：北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 

摘　　要：三维多孔镍薄膜的制备方法，包括：提供紫铜片作为阴极并提供镍片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中NiSO4含量为1.0～2.0mol/L，H2SO4含量为0.1～0.3mol/L，H3BO3含量为0.8～1.0mol/L，NH4Cl含量为1.0～2.0mol/L，表面活性剂总含量为0.7～1.4g/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述紫铜片上形成三维多孔镍薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔镍薄膜孔径均匀，孔隙率高并且稳定性好。 

主 权 项：一种三维多孔镍薄膜的制备方法，包括：提供紫铜片作为阴极并提供镍片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中NiSO4含量为1.0～2.0mol/L，H2SO4含量为0.1～0.3mol/L，H3BO3含量为0.8～1.0mol/L，NH4Cl含量为1.0～2.0mol/L，表面活性剂总含量为0.7～1.4g/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述紫铜片上形成三维多孔镍薄膜。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C25D3/12(2006.01)I;C25D5/00(2006.01)I