检索结果分析
- 一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法
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申请号：CN201810008176.X
申请日：20180104
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参...
- 模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法
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申请号：CN201711158329.0
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，...