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  • 发明人=张云怀x
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一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法

申请号:CN201310452381.2

申请日:20130929

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状,硅纳米阵列为规则孔状或线状,Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的...
一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法

申请号:CN201310452381.2

申请日:20130929

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状,硅纳米阵列为规则孔状或线状,Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的...
一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状材料及其制备方法

申请号:CN201210345503.3

申请日:20120910

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状结构材料及其制备方法,由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料,在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料,其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3~16,该纳米花状结构...
直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法

申请号:CN201210216523.0

申请日:20120618

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与...
超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜

申请号:CN201210216522.6

申请日:20120618

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜,由镍盐和钴盐为原料,在金属钛基底上生成的镍钴复合纳米线薄膜,其中镍盐和钴盐的摩尔比为1~5∶1~5,该薄膜不仅具有较大的比表面积,能简化电极的制备工艺,对碱性环境...
一种纳米铂镍双金属/二氧化钛纳米管阵列复合材料的制备方法

申请号:CN201110145920.9

申请日:20110601

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提供了一种纳米铂镍双金属/二氧化钛纳米管阵列复合材料的制备方法,该方法的工艺步骤为:a、钛片预处理;b、制备二氧化钛纳米管阵列;c、高温焙烧;d、负载纳米铂镍双金属;本发明采用多电流(或多电位)脉冲阶跃法将纳米铂镍...
纳米二氧化锰/碳复合微球的制备方法

申请号:CN201010564268.X

申请日:20101130

申请人:重庆大学

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摘要:本发明属于材料化学领域,涉及纳米二氧化锰/碳复合微球的制备方法,包括以下步骤:将葡萄糖或蔗糖用水溶解制成浓度为0.1~0.5mol/L的溶液,于温度180~240℃水热反应24小时,制得碳球;分别将高锰酸钾和硫代硫酸盐用...
聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法

申请号:CN201010255860.1

申请日:20100818

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法,包括以下步骤:1)合成二氧化钛纳米管列阵,并经焙烧得到锐钛矿型二氧化钛纳米管列阵;2)在溶液组成为十二烷基苯磺酸钠和吡咯单体的水溶液中,将焙烧后的二氧化钛...
纳米锌/二氧化钛纳米管列阵复合材料的制备方法

申请号:CN201010221666.1

申请日:20100709

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提供了一种纳米锌/二氧化钛纳米管列阵复合材料的制备方法,该方法的工艺步骤为:a、清洗钛箔片,b、制备二氧化钛纳米管列阵,c、焙烧,d、均匀负载锌纳米颗粒;本发明采用脉冲电沉积法将锌纳米颗粒负载于二氧化钛纳米管上制得...
一种纳米镍/二氧化钛纳米管列阵复合材料制备方法

申请号:CN200910104418.6

申请日:20090723

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种通过脉冲电沉积在二氧化钛管列阵上负载镍纳米颗粒,制备纳米镍/二氧化钛纳米管列阵复合材料的方法,首先以金属钛为基底,利用阳极氧化法制备高度有序的纳米二氧化钛管列阵,经焙烧后改善二氧化钛半导体的性质,提高表面电...
一种纳米镍/二氧化钛纳米管列阵复合材料制备方法

申请号:CN200910104418.6

申请日:20090723

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种通过脉冲电沉积在二氧化钛管列阵上负载镍纳米颗粒,制备纳米镍/二氧化钛纳米管列阵复合材料的方法,首先以金属钛为基底,利用阳极氧化法制备高度有序的纳米二氧化钛管列阵,经焙烧后改善二氧化钛半导体的性质,提高表面电...
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