直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201210216523.0 

申 请 日：20120618 

发 明 人：肖鹏杨飞周明姚建玉张云怀蒙小琴李小玲王志峰袁履辉 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝正街174号 

公 开 日：20140813 

公 开 号：CN102719811B 

代 理 人：赵秉森 

代理机构：北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 

摘　　要：本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法，以阳极氧化法为手段，首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管，再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度，然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反应釜中进行水热反应，最后将反应后的钛基底在N2气氛下焙烧，即得产物，该方法实验条件简单，对实验仪器精密度要求低，操作简单，生长出的产物膜均匀、与钛基底结合稳定且在储能方面的性能优越，因此，该方法适于制备以金属钛为基底的储能材料的。 

主 权 项：直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、钛基底的处理：将钛片依次在稀盐酸、无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5～10MIN，将清洗晾干后的钛片作为阳极，铂片作为阴极置于0.05～0.5MOL/L的HF溶液中，在10～30V的电压下常温反应1.0H，在钛基底表面制得二氧化钛纳米管(TIO2NT)，再将所得的TIO2NT在氮气氛围中焙烧3H，焙烧温度为400～500℃，以改善TIO2NT的导电性；B、将A步骤处理过的钛基底在柠檬酸溶液中(PH＝1.5)浸泡12～24H，以增加TIO2NT管壁羟基的数量；C、金属盐溶液的配置：将一定量的水合过渡金属盐溶于水中，配制成浓度范围为0.02MOL/L～0.08MOL/L的溶液；D、前躯体溶液：称取一定量的尿素溶于C溶液中，保持过渡金属盐与尿素的物质的量之比为1∶5；E、将经过B步骤处理过的钛基底正面朝下，与反应釜内衬呈45°倾斜置于容积为50ML的聚四氟乙烯反应釜内衬中，再将C步骤的溶液30ML转移至该聚四氟乙烯反应釜内衬中；F、将E步骤的反应釜置于烘箱中，在90～160℃下，反应8～16H；G、取出F中钛基底，分别用去离子水和乙醇冲洗，干燥后于300～400℃的N2气氛下焙烧3H；所述水合金属盐为水合镍盐、水合钴盐、水合镍盐和水合钴盐的混合盐。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：C25D11/26; C23C18/12