一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310452381.2 

申 请 日：20130929 

发 明 人：乔雷周明张爱娟李艳虹邓娟廖明佳肖鹏张云怀张胜涛 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学化学化工学院 

公 开 日：20150617 

公 开 号：CN103464146B 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状，硅纳米阵列为规则孔状或线状，Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构，本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属，加快了光生载流子的转移速率，减少缺陷的形成，提高了光电转化效率，增强了太阳能的利用率。 

主 权 项：一种Pt/硅纳米阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)将硅纳米阵列作为工作电极，将Ag/AgCl作为参比电极，Pt电极为对电极，按照三电极体系连接电路；(b)将所述三电极体系浸入电解质溶液中，所述电解质溶液为含有Pt离子的溶液，Pt离子的浓度为0.25～2g/L，调节pH值至1～3；(c)采用多电位阶跃制备Pt/硅纳米阵列的复合材料，所述多电位阶跃激励信号为脉冲周期信号，所述脉冲周期信号施加于工作电极上，脉冲周期为10～60次；所述脉冲周期信号为?0.3～?0.6V阴极脉冲反应10ms～50ms，随即阶跃至+0.3～+0.6V阳极脉冲反应2.5～25ms，关断反应100ms～500ms。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：B01J23/42(2006.01)I;B01J37/34(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I