检索结果分析
- 一种掺杂大块单晶SnS的制备方法
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申请号：CN201810486631.7
申请日：20180521
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于半导体材料掺杂技术领域,公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分...
- 一种多晶SnSe热电材料的制备方法
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申请号：CN201710730503.8
申请日：20170823
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法，包括：利用单晶制备方法制备高性能单晶；将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细...