两类3?位含吡啶取代基团芳炔前体及其制备

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201711235636.4 

申 请 日：20171130 

发 明 人：李杨吕春杰 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20180420 

公 开 号：CN107936050A 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明公开了两类3?位含吡啶取代基团的芳炔前体及其制备。该3?位含吡啶取代基团的芳炔前体的合成方法包括非传统1，2?二芳炔前体的合成、利用非传统1，2?二芳炔前体与吡啶/V?氧化物一锅煮进行反应，高效地制备了3?位含吡啶取代基团芳炔前体A，B两个步骤。本发明的技术效果是：首先，实现了两类3?位含吡啶取代基团的芳炔前体A，B的制备，该化合物及其合成方法在有机物合成和药物合成领域具有广阔的应用前景；其次，此方法合成方法简便，能大量制备。 

主 权 项：两类3?位含吡啶取代基团芳炔前体及其制备其结构式如下： 

关 键 词：芳炔;前体;取代基团;制备;合成;有机物合成;技术效果;药物合成;一锅煮;氧化物;应用 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C07F7/08(2006.01)I