底置双通道双筒抗沉降磁流变阻尼器
专利类型：外观设计
语 言：中文
申 请 号：CN201811367739.0
申 请 日：20181116
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20190412
公 开 号：CN109611498A
代 理 人：吕小琴
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
摘 要：本发明公开了一种底置双通道双筒抗沉降磁流变阻尼器,包括外筒、内筒、导向密封组件、磁路组件以及活塞组件。本发明能够对内、外阻尼通道实现分别控制,提供压缩与复原行程独立的阻尼特性,也可以通过对双励磁线圈同时控制实现更大的阻尼力；基于双阻尼器通道独立控制实现的独立阻尼特性,可以实现无障碍容积补偿,避免产生示功特性畸变；可以形成磁流变液的全流通流动,对沉降后的磁流变液形成强烈的再分散效果,使器件更好的适应可能的长期静置工况。
主 权 项：1.一种底置双通道双筒抗沉降磁流变阻尼器,其特征在于：包括外筒、内筒、导向密封组件Ⅰ、磁路组件以及活塞组件；所述内筒同轴设置于外筒内,且内筒外壁与外筒内壁之间形成有流道腔；所述导向密封组件Ⅰ和磁路组件分别设置于外筒两端,所述导向密封组件Ⅰ包括设置于外筒内用于对活塞组件导向的导向座和固定于外筒端部的密封件,所述导向座一端与内筒一端抵接,导向座另一端与密封件抵接,所述磁路组件包括底座、磁轭、内线圈以及外线圈,所述底座固定于外筒端部,且底座朝向外筒内的一端中心设有轴向延伸的中心柱,所述磁轭套设于中心柱外,磁轭一端通过其端面设有的凸台与底座连接,使磁轭端面与底座之间形成底腔,磁轭另一端与内筒另一端抵接,所述磁轭内壁与中心柱内壁之间形成有与底腔连通的内阻尼通道,磁轭外壁与外筒内壁之间形成有分别与底腔和流道腔连通的外阻尼通道,所述内线圈缠绕于中心柱外,所述外线圈缠绕于磁轭外；所述内筒内壁与中心柱、磁轭、导向座之间围合形成工作腔,所述活塞组件沿轴向可滑动的设置在工作腔内,并将工作腔分隔形成相互独立的右工作腔和左工作腔,所述右工作腔的腔壁上设有与流道腔连通的流通孔,所述左工作腔与内阻尼通道连通；所述活塞组件包括活塞和活塞杆,所述活塞为一端敞开、一端封闭的中空结构,所述活塞杆一端穿过活塞封闭端伸入活塞内,与活塞固定连接,活塞杆另一端依次穿过导向座和密封件伸出外筒外,所述活塞内设置有可沿活塞轴向滑动的浮动活塞和用于支撑浮动活塞的压缩弹簧,所述浮动活塞、活塞封闭端以及活塞内壁共同围合成的密闭空间形成容积可变的补偿腔,所述压缩弹簧位于补偿腔内,所述活塞敞开端与左工作腔连通。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：F16F9/53;F16F9/36;F16F9/32