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一种加锆纯化镁熔体的方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201410644738.1 

申 请 日:20141114 

发 明 人:陈先华毛建军潘复生颜滔 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20150128 

公 开 号:CN104313360A 

代 理 人:李明;张先芸 

代理机构:重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 

摘  要:本发明公开了一种加锆纯化镁熔体的方法,将锆元素添加到镁熔体中,结合高温和低温静置处理去除镁熔体中主要杂质元素,具体操作步骤包括:1)在坩埚中熔化镁锭,将镁熔体升温至760-780℃,加入Mg-Zr中间合金,完全熔化后搅拌均匀,精炼5min,之后除渣;2)将镁熔体降温至720-740℃,保温静置30-60分钟;3)把镁熔体降温630-690℃,保温静置30-90分钟;4)保温静置结束后,立即把坩埚风冷,使熔体快速凝固得到镁铸锭。本发明可有效降低镁中Fe、Si等杂质含量,纯化效果十分显著,且不带入新夹杂,生产过程中所用工艺设备为常规通用设备,成本较低,容易操作,工业上易于实现。 

主 权 项:一种加锆纯化镁熔体的方法,其特征在于:针对镁熔体,在常规熔铸工艺的基础上,不添加任何除杂熔剂,只通过将锆元素添加到镁熔体中,并结合高温和低温静置处理,实现去除镁熔体中主要杂质元素、有效纯化的目的,具体操作步骤包括:1)在坩埚中熔化镁锭,将镁熔体升温至760?780℃,加入Mg?Zr中间合金,完全熔化后搅拌均匀,精炼5min,之后除渣;2)将镁熔体降温至720?740℃,保温静置30?60分钟;3)把镁熔体降温至630?690℃,保温静置30?90分钟;4)保温静置结束后,立即把坩埚风冷,使熔体快速凝固得到镁铸锭。 

关 键 词: 

法律状态: 

IPC专利分类号:C22B26/22;C22B9/10