一种提高单压电层薄膜体声波传感器分辨力的方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201010233043.6
申 请 日：20100722
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20120104
公 开 号：CN101900709B
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：本发明涉及一种提高单压电层薄膜体声波传感器的分辨力的方法，其是在单压电层薄膜体声波传感器的激励电压中增加一个反馈电压，该反馈电压是对通过薄膜体声波传感器的电流施加一个常数增益和一个常数相位差得到。本发明通过在薄膜体声波传感器激励电压中加入反馈电压，可以补充薄膜体声波传感器部分的声能损失，降低传感器的阻尼，从而达到提高薄膜体声波传感器的品质因子和质量分辨力的目的。本发明提出的基于主动控制技术的提高单压电层薄膜体声波传感器的分辨力的方法，可以与薄膜体声波传感器的被动隔声技术同时使用，对厚度伸缩模式和厚度剪切模式的薄膜体声波传感器均适用，对石英晶体微天平也同样适用。
主 权 项：一种提高单压电层薄膜体声波传感器的分辨力的方法，其特征在于：所述方法是在用单压电层薄膜体声波传感器进行特定物质的检测时，在单压电层薄膜体声波传感器的压电层上、下电极之间施加的激励电压上叠加一个反馈电压，并在检测过程中需保持以上反馈电压的反馈参数不变，以补充薄膜体声波传感器部分的声能损失，降低传感器的阻尼，从而达到提高薄膜体声波传感器的品质因子和质量分辨力的目的；所述反馈电压是对通过薄膜体声波传感器的电流施加一个常数增益和一个常数相位差得到；所述常数增益和常数相位差通过以下方法得到：首先对所使用的单压电层薄膜体声波传感器进行测量，通过扫频法得到与不同增益和相位差所对应的导纳或阻抗的幅值和相位随频率的变化曲线，根据导纳或阻抗的幅值曲线确定与谐振峰对应的频率，再根据导纳或阻抗的相位曲线在该频率处的斜率的绝对值确定与不同增益和相位差对应的品质因子，在此基础上进一步确定将传感器品质因子提高到无反馈控制，即反馈电压的增益取为零时的品质因子的特定倍数所对应的增益和相位差，该特定倍数即为期望通过主动控制将薄膜体声波传感器的分辨力提高的倍数，并在对特定物质实施检测的过程中保持该增益和相位差不变，该增益和相位差即分别为反馈电压的常数增益和常数相位差。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：G01N29/22; G01N29/32