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硅微机械短接式微带天线
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN02222840.3
申 请 日：20020604
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝正街174号
公 开 日：20030820
公 开 号：CN2567892Y
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所
摘 要：硅微机械短接式微带天线，它的结构是：在单晶硅片的一侧生成有二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层之上沉积并刻蚀有微带金属贴片；单晶硅片的另一侧粘接在接地板上，在它们之间有腐蚀出的一定厚度的空腔；在紧邻微带金属贴片的一端的单晶硅片有腐蚀出的狭缝，与空腔相通；采用金属薄片穿过狭缝，将微带金属贴片和接地板短接起来。采用本结构的优点是：可按各种阻抗值来设计微带贴片天线，无需匹配网络，便于阻抗匹配；可显著缩小天线的尺寸，天线尺寸只有1/12－1/8波长；可采用微机械工艺，进行大规模生成，成本低；可方便地与硅或砷化镓等集成电路集成到一起；还可明显减小电磁波对人体头部的辐射作用。
主 权 项：权利要求书1.硅微机械短接式微带天线，其特征在于在单晶硅片(4)的一侧生成有二氧化硅绝缘层(10)，在二氧化硅绝缘层(10)之上沉积并刻蚀有微带金属贴片(1)；单晶硅片(4)的另一侧粘接在接地板上，在它们之间有腐蚀出的一定厚度的空腔(7)；在紧邻微带金属贴片(1)一端的单晶硅片(4)上有腐蚀出的狭缝(5)，与空腔(7)相通；金属薄片(9)形成的短路片穿过狭缝(5)，将微带金属贴片(1)和接地板短接起来。
关 键 词：
法律状态：授权
IPC专利分类号：H04Q7/32; H01Q1/27; H01Q13/08