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一种圆环管面子午/弧矢同焦点晶体成像器及其制作方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201110360524.8 

申 请 日:20111115 

发 明 人:施军肖沙里钱家渝吕凤飞刘利峰毋玉芬 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20120620 

公 开 号:CN102508406A 

代 理 人:徐先禄 

代理机构:重庆华科专利事务所 50123 

摘  要:本发明公开一种圆环管面子午/弧矢同焦点晶体成像器,由晶体台和粘贴在其上的晶体薄片组成,在晶体台的斜面上设有圆环管面凹坑;所述晶体薄片为圆环管面形状,厚度0.15-0.25mm,材质为石英、硅、锗或云母;晶体薄片与晶体台上的圆环管面凹坑粘贴结合。本发明还公开所述的一种圆环管面子午/弧矢同焦点晶体成像器的制作方法。本发明能获取X射线光谱信息及聚焦图像信息,克服了现有技术中不能获取X射线聚焦图像信息的缺陷,能够深入研究等离子体状态及辐射的时空特性,从原理上解决辐射驱动靶球燃料界面诊断难题,为聚变点火提供重要的验证依据。还能够用在生物学、医学组织学等有机大分子的聚焦成像,能够改变放大倍率来达到各种不同的实际需求。 

主 权 项:一种圆环管面子午/弧矢同焦点晶体成像器,由晶体台(2)和粘贴在其上的晶体薄片(9)组成,其特征是:所述晶体台(2)为五面体,两侧面(3)为相等的直角三角形,在晶体台(2)的斜面上设有圆环管面凹坑(1);所述晶体薄片(9)为圆环管面形状,厚度0.15?0.25MM,材质为石英、硅、锗或云母;晶体薄片(9)与晶体台(2)上的圆环管面凹坑(1)粘贴结合。 

关 键 词: 

法律状态:生效 

IPC专利分类号:G03B42/02; G02B17/08; G01B15/04; G01B15/00; G01N23/04