基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置及加工工艺
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201110395164.5
申 请 日：20111202
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20131218
公 开 号：CN102517207B
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：一种基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置，由细胞电融合芯片和流路控制层组成。细胞电融合芯片具有硅基底层，在硅基底层上有二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上有顶层低阻硅层，在顶层低阻硅层中有微通道，微通道以二氧化硅绝缘层为底，微通道的两侧相对为齿状侧壁微电极，在相邻的齿状侧壁微电极之间采用绝缘隔离结构隔离低阻硅与齿状侧壁微电极，被隔离的低阻硅的端面与齿状侧壁微电极的端面齐平，使微通道为光滑的通道。本芯片既保证了齿状微电极阵列在微通道内部形成非均匀电场，又形成光滑的直线型微通道侧壁，可避免传统的齿状微电极结构带来的细胞堵塞问题。
主 权 项：一种基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：它由基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片和流路控制层组成；所述基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片具有硅基底层，在硅基底层上有二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上有顶层低阻硅层，在顶层低阻硅层中有微通道，微通道以二氧化硅绝缘层为底，微通道的两侧相对为齿状侧壁微电极，在相邻的齿状侧壁微电极之间采用绝缘隔离结构隔离低阻硅与齿状侧壁微电极，被隔离的低阻硅的端面与齿状侧壁微电极的端面齐平，使微通道为光滑的通道；所述顶层低阻硅层上有铝引线层，与侧壁微电极接通，在整个顶层低阻硅层上覆盖有二氧化硅钝化层，并留出部分铝引线层作为与外界电信号电气连接的键合区；所述流路控制层由PDMS盖片和导管组成，?PDMS盖片盖在细胞电融合芯片上，PDMS盖片上有出样口和进样口，对应于细胞电融合芯片的微通道的两端，连通微通道，导管装于出样口和进样口上。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：C12M1/42