一种W-WSi₂功能梯度材料及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201610381120.X 

申 请 日：20160601 

发 明 人：张颖异吕炜吕学伟白晨光邱贵宝 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20161012 

公 开 号：CN106011716A 

代 理 人：黄河 

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 

摘　　要：本发明提供了一种W?WSi₂功能梯度材料及其制备方法，该W?WSi₂功能梯度材料的制备方法以钨金属为基体，通过热浸镀硅的方法使得Si原子在W基体中扩散，得到Si、W含量呈梯度变化、且在金属钨基体表面形成梯度层的W?WSi₂功能梯度材料，具有梯度层形成速度快、制备时间短、梯度层厚度可控的特点；该W?WSi₂功能梯度材料由金属钨基体向材料外表面方向的梯度变化规律为：金属W材质的基体层、W₅Si₃材质的过渡层、WSi₂材质的中间层以及WSi₂与Si混合材质的表层，由过渡层、中间层和表层构成梯度层，其功能梯度层与基体结合紧密，材料整体具有很高的抗弯强度、抗拉强度和良好的高温抗氧化性能，使用寿命长。 

主 权 项：一种W?WSi₂功能梯度材料，其特征在于，在金属钨基体表面具有梯度层，其材质沿金属钨基体向梯度层表面为四阶段相，由金属钨基体向材料外表面方向的梯度变化规律为：金属W材质的基体层、W₅Si₃材质的过渡层、WSi₂材质的中间层以及WSi₂与Si混合材质的表层；由过渡层、中间层和表层构成梯度层。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C23C2/04(2006.01)I;C23C2/26(2006.01)I;C23C2/40(2006.01)I