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聚二甲基硅氧烷微流控芯片的制作方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200610054308.X
申 请 日：20060517
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20061129
公 开 号：CN1869707A
代 理 人：周韶红
代理机构：重庆弘旭专利代理有限责任公司
摘 要：本发明提供了一种聚二甲基硅氧烷微流控芯片的制作方法，其特征在于：采用激光刻蚀制作含有通道布局信息的金属模板(1)；然后用高分子聚合物胶液浇注经激光刻蚀后的金属模板(1)，制得聚合物阳模(2)；最后以聚二甲基硅氧烷预聚合物浇注上述聚合物阳模(2)，得到聚二甲基硅氧烷微流控芯片基片(3)，通过打孔、封接制得聚二甲基硅氧烷微流控芯片(4)。本发明与现有技术比较，由于无需光敏胶光刻和化学腐蚀工艺，使其制作过程大大简化，具有步骤简单、制作成本低、工艺条件容易控制、快速的特点，特别适合在普通实验室应用。
主 权 项：1、一种聚二甲基硅氧烷微流控芯片的制作方法，它包括阳模制作，基片制作以及打孔、封接制得，其特征在于：首先在金属薄板上用激光刻蚀制作成为含有通道布局信息的金属模板(1)，然后进行阳模制作；所述阳模制作是采用高分子聚合物胶液浇注经激光刻蚀后含有通道布局信息的金属模板(1)制得与之互补的聚合物阳模(2)，最后进行基片制作以及打孔、封接后得聚二甲基硅氧烷微流控芯片。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01N35/00(2006.01);H01L21/00(2006.01)