碳纳米管微束阵列场发射阴极微焦点X射线管
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201711145890.5
申 请 日：20171117
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180417
公 开 号：CN107919257A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种碳纳米管微束阵列场发射阴极微焦点X射线管，属于电磁场领域。该X射线管包括碳纳米管微束阵列阴极、电子束准直聚焦极、阳极、透射靶以及金属陶瓷外壳。碳纳米管微束阵列阴极(3～50μm)，其在负高压(2000V)作用下，通过场致效应发射电子，电子束经特殊结构的电子束聚焦极准直和聚焦后，高速轰击到阳极靶面，即可获得微米级尺寸的X射线焦斑。本发明摒弃了体积大、能耗高的电磁场聚焦透镜和多极聚焦阴极电子枪，因此具有体积小、能耗低、结构简单等优点，在小型化的CT仪器或其它X射线成像及分析仪器设备中有广泛的应用价值。
主 权 项：碳纳米管微束阵列场发射阴极微焦点X射线管，其特征在于：包括碳纳米管微束阵列阴极、电子束准直聚焦极、阳极和透射靶；所述碳纳米管微束阵列阴极、电子束准直聚焦极、阳极和透射靶的中心位于一条直线上；碳纳米管微束阵列阴极发射出束流直径为Φ5～50μm的电子束，电子束通过电子准直聚焦极的准直聚焦后，电子束进一步准直和变细，通过阳极30～100kV的高压加速后轰击到透射靶上，发出微米尺寸的X射线焦斑；所述电子束准直聚焦极作用为：通过第一栅极对碳纳米管阴极的发射电流强度进行调控，通过设定第一栅极孔和第二栅极孔的孔径、孔深，得到均匀分布的电场强度，从而实现对电子束进行准直和聚焦。
关 键 词：碳纳米管;电子束;微束;阵列场发射阴极;阵列阴极;电磁场;聚焦极;微焦点;准直;能耗;聚焦;分析仪器设备;阴极电子枪;阳极;发射电子;金属陶瓷;聚焦透镜;阳极靶面;负高压;体积小;微米级;透射;场致;多极;焦斑;轰击;应用
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01J35/06(2006.01)I,H01J35/24(2006.01)I