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一种基于闪存错误校验的读写调制方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201510014945.3 

申 请 日:20150113 

发 明 人:石亮李乔高聪明吴剀劼诸葛晴凤沙行勉 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20170808 

公 开 号:CN104575618B 

代 理 人: 

代理机构: 

摘  要:本发明公开了一种基于闪存错误校验的读写调制方法,使用LDPC错误校验码为中介,建立闪存读写延迟关系模型。基于该模型,对读写延迟的调制主要包括以下步骤:写请求根据性能需求和系统状态确定数据编程速度,即确定编程步幅电压ΔVpp。记录写入的数据页的步幅电压ΔVpp。读取数据时,根据读取的数据在编程时的ΔVpp,综合其它干扰因素,计算数据错误率。由于LDPC码的纠错能力与读取时的参考电压数目相关,根据计算出的错误率,选择能够保证纠错能力的最少参考电压数目,从而确保能够正确解码出数据,确定读取数据。本发明确定了读写延迟的关系,通过调节编程时ΔVpp来改变读请求的执行时间。另一方面,相对于传统LDPC解码从硬判决开始逐步增加参考电压数目的方式减少了读请求的执行时间。 

主 权 项:一种基于闪存错误校验的读写调制技术,其特征在于:1)闪存中基于错误校验的读写延迟模型,具体如下:T_P&PROPORTIONAL;1ΔVPPT_R&PROPORTIONAL;NT_RC&PROPORTIONAL;CEILING(LOG(N+1))RBER(ΔVPP)≤CBERLDPC(N)模型建立了写请求的编程时延和读请求的读取时延、传输时延与编程步幅、LDPC解码的阈值电压数目之间的关系。2)利用读写请求之间的关系,通过对写请求的编程步幅电压的改变,来达到对读请求执行时间的调制。 

关 键 词: 

法律状态:公开 

IPC专利分类号:G11C29/42; G11C16/06; G11C16/26