一种n型有机场效应晶体管的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201510613452.1 

申 请 日：20150923 

发 明 人：李哲峰程恒 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20160224 

公 开 号：CN105355785A 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明公开了一种n型有机场效应晶体管的制备方法，它包括SiO₂/Si基片的预处理，还包括基片的自组装处理：将(β-萘氧基)己基膦酸(Naph6PA)溶于无水四氢呋喃中，配制0.8mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO₂/Si基片上生长(β-萘氧基)己基膦酸(Naph6PA)薄膜；真空蒸镀有机半导体PDI-iC8层：在真空压力小于1×10^-4Pa下，在基片温度25-110℃下以/秒的速率蒸镀80nm的PDI-iC8层；然后，在基片温度25℃下，真空压力小于1.5×10^-4Pa下，以/秒的速率蒸镀40nm的金电极，制得n型有机场效应晶体管器件。本发明的优点是：通过自组装膜修饰后能得到有序的晶体状PDI-iC8有机多晶薄膜，优化了晶体管器件的载流子传输性能，获得了性能优良(在空气中电子迁移率较高)的n型有机场效应晶体管。 

主 权 项：一种n型有机场效应晶体管的制备方法，包括SiO₂/Si基片的预处理，在基片绝缘层表面组装自组装薄膜(SAMs)以及器件制备三部分，具体步骤如下：第一步??SiO₂/Si基片的预处理：将切割好的SiO₂/Si基片置于丙酮中超声清洗10分钟，用氮气枪吹干之后将基片置于H₂SO₄(98％)∶H₂O₂(30％)＝7∶3溶液中，在100℃(溶液微沸)下处理1小时；取出后用去离于水清洗，氮气枪吹干，再置于NH₃.H₂O(30％)∶H₂O₂(30％)∶H₂O＝1∶1∶5溶液中，在70℃(溶液微沸)下处理30分钟，取出后用去离子水清洗，氮气枪吹干，基片清洁工作完成；第二步??基片的自组装处理：将(β?萘氧基)己基膦酸(Naph6PA)溶于无水四氢呋喃中，配制0.8mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO₂/Si基片上组装上(β?萘氧基)己基膦酸(Naph6PA)的自组装薄膜，在140℃下真空干燥箱内煅烧48小时，然后取出，用无水四氢呋喃超声清洗处理后的SiO₂/Si基片10分钟，去离子水清洗后用氮气枪吹干；第三步??真空蒸镀有机半导体层：将自组装有(β?萘氧基)己基膦酸薄膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力不大于1×10^?4Pa下，在基片温度25?110℃下，以/秒的速率蒸镀80nm的有机半导体PDI?iC8层；第四步??真空蒸镀金电极，在真空压力不大于1.5×10^?3Pa下，在基片温度为室温的条件下，以/秒的速率蒸镀40nm金作为电极，制得PDI?iC8有机场效应晶体管器件。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：H01L51/40(2006.01)I