专利类型:外观设计
语 言:中文
申 请 号:CN201811436934.4
申 请 日:20181128
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区正街174号
公 开 日:20190329
公 开 号:CN109540292A
代 理 人:王海凤;杨晓磊
代理机构:重庆晟轩知识产权代理事务所(普通合伙)
摘 要:本发明涉及一种光谱的预处理方法,首先是对光谱进行去噪:将光谱输入卷积去噪层C1进行去噪,再对光谱进行基线校正:将经过C1去噪后的光谱输入基线校正层C2。本发明方法中去噪和基线校正以卷积的方式融入中,从而将预处理过程和鉴别问题转化在统一的模型框架中求解,实现了数据的自适应处理,弥补了传统方法的不足;去噪和基线校正过程中每一个卷积层中都只有一个卷积核,相比于传统的网络解释性更强,而且更容易监控卷积层的输出,以查看是否达到预期的效果。
主 权 项:1.一种光谱的预处理方法,其特征在于:包括如下步骤:S1:对光谱进行去噪:将光谱输入卷积去噪层C1进行去噪,所述卷积去噪层层C1的输出表示如下: 其中,x1表示卷积去噪层C1的输入,xc1表示卷积去噪层C1的输出,Wc1表示卷积去噪层C1的卷积核权重;Wc1,i是卷积去噪层C1层第i个权重,nc1是Wc1的权重总数;S2:经过S1去噪后,再对光谱进行基线校正:将经过S1去噪后的光谱输入基线校正层C2,所述基线校正层C2的输出表示如下: 其中,xc2表示基线校正层C2的输出,Wc2表示基线校正层C2的卷积核,Wc2,i为基线校正层C2卷积核的第i个权值,nc2表示基线校正层C2卷积核的权值个数。
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:G01J3/28;G01J3/02