集成真空微电子触觉传感器阵列

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN99124606.3 

申 请 日：19991118 

发 明 人：温志渝江永清何清义吕果林林鹏蒋子平 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝重庆大学 

公 开 日：20010530 

公 开 号：CN1297145A 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：集成真空微电子触觉传感器阵列,由真空微电子触觉敏感元二维阵列、信号处理电路两大部分组成。其中,构成触觉敏感元二维阵列的触觉敏感元由硅微场致发射阴极锥尖阵列、真空微腔、绝缘层、阳极弹性膜组成;信号处理电路由水平方向扫描电路、垂直方向扫描电路、MOS开关管阵列、信号输出端等组成。本发明具有温度稳定性好,灵敏度与分辨率高、响应速度快、功耗低、抗辐射、体积小等优点。它既可测量多点微压力与微位移,又可感知被测物体的相应形貌,是一种用途极为广泛的集成真空微电子触觉传感器阵列。 

主 权 项：1、集成真空微电子触觉传感器阵列，包括真空微电子触觉敏感元二维阵列、信号处理电路两部分，其中，构成触觉敏感元二维阵列的触觉敏感元由硅微场致发射阴极锥尖阵列(1)、真空微腔(2)、绝缘层(3)、阳极弹性膜(4)组成，信号处理电路由水平方向扫描电路(6)、垂直方向扫描电路(7)、MOS开关管阵列(8)和(8′)、信号输出端(9)组成，其特征是构成的触觉敏感元二维阵列与信号处理电路共同一体化集成真空微电子触觉传感器阵列。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：G01L21/02; G01D5/14