一种熔盐电解制备硅碳复合材料的方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201910238476.1

申请日：20190327

发明人：胡丽文扈玫珑刘鹏杰吴泓霏吕学伟徐建党杰余文轴李涛游志雄

申请人：重庆大学

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20190628

公开号：CN109950494A

代理人：吴彬

代理机构：重庆信航知识产权代理有限公司

摘　　要：本发明公开了一种熔盐电解制备硅碳复合材料的方法,在CaCl2-CaSiO3-CaO熔盐电解过程中通入CO2气体,利用CaSiO3在熔盐中溶解得到硅酸根离子,硅酸根离子在电解池阴极还原得到纳米硅材料,利用CaCl2基熔盐中的氧离子捕获CO2,并将其固定为碳酸根离子,碳酸根离子在熔盐中通过扩散到达阴极,并在阴极被还原为纳米碳材料,从而在阴极上得到硅碳复合材料。所制得的硅碳复合材料利用碳材料良好的结构稳定性好、柔韧性和润滑性,使得在锂离子的嵌入硅的过程中能让硅体积的变化很小,从而解决了锂嵌入硅中时会使硅积膨胀而粉化的问题,并且获得的硅碳复合材料同时具有了硅储锂比容量高和碳材料电导率高等优点,达到了优势互补的目的。

主权项：1.一种熔盐电解制备硅碳复合材料的方法,其特征在于：在CaCl2-CaSiO3-CaO熔盐电解过程中通入CO2气体,利用CaSiO3在熔盐中溶解得到硅酸根离子,硅酸根离子在电解池阴极还原得到纳米硅材料,并产生氧离子；并利用通入的CO2气体作为碳的来源,利用CaCl2基熔盐中的氧离子捕获CO2,并将其固定为碳酸根离子,碳酸根离子在熔盐中通过扩散到达阴极,并在阴极被还原为纳米碳材料,从而在阴极上得到硅碳复合材料。

关键词：

法律状态：

IPC专利分类号：H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525