压电谐振阵列芯片及其制备方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN01107143.5

申请日：20010220

发明人：莫志宏吴中福靳萍田学隆郭钢

申请人：重庆大学

申请人地址：400044重庆市沙坪坝正街174号

公开日：20010926

公开号：CN1314583

代理人：

代理机构：

摘　　要：本发明涉及压电谐振器的阵列集成芯片。旨在解决已有芯片灵敏度较低、精度较差、制备复杂、干扰较大等问题。本阵列芯片包含压电材料的压电谐振片1及其两侧片面上分别有光整表面的共用电极2和微型电极阵列3。上述芯片的制备方法:1)将压电材料切制成压电谐振片1;2)用真空蒸镀法镀覆导电膜,形成一侧片面上的共用电极2;另一侧片面再经微细加工成微型电极阵列3。适用于微量和超微量的物理量、化学量和生物量的分析检测。??全部

主权项：权利要求书1、压电谐振阵列芯片，包含压电材料的压电谐振片(1)及其两侧片面上的电极，其特征在于压电谐振片的片面是光整表面，电极有分别在压电谐振片的两片面上的由至少两个相互隔离的微型电极(2)构成的微型电极阵列和共用电极(3)。

关键词：

法律状态：生效

IPC专利分类号：G01D5/14