一种真空微电子加速度传感器

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200910104107.X 

申 请 日：20090617 

发 明 人：贺学锋温志渝温中泉 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400033重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20091111 

公 开 号：CN101576569 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 

摘　　要：本发明涉及一种易于采用硅微加工技术制作的真空微电子加速度传感器结构，该真空微电子加速度传感器由微加工的质量块、支承质量块的微梁、锥尖阵列、发射阴极、发射阳极、可动反馈电极和固定反馈电极构成，其是在发射阴极(锥尖阵列底部)与反馈电极之间引入一个台阶，或者在发射阳极与反馈电极之间引入一个台阶，以增加可动反馈电极和固定反馈电极之间的初始间距，进一步增加发射阴极和发射阳极之间的可控间距，扩大锥尖高度的取值范围和锥尖与阳极之间初始间距的取值范围，最终达到降低加工难度和提高成品率的目的。??全部 

主 权 项： 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：G01P15/08(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I