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太阳能电池导电基底
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201020100523.0
申 请 日：20100122
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20100915
公 开 号：CN201584296U
代 理 人：郭云
代理机构：重庆市前沿专利事务所 50211
摘 要：本实用新型公开了一种太阳能电池导电基底，包括透明衬底(1)、次栅电极(2)和导电层(3)，其中透明衬底(1)与导电层(3)重叠设置，次栅电极(2)位于透明衬底(1)与导电层(3)之间横向均匀排列在透明衬底(1)上，透明衬底(1)上纵向设置有与次栅电极(2)交错相连的主栅电极(4)。本实用新型结构简单、设计合理，主栅电极的引入，不仅可以极大地增强导电基底的导电能力，减小电池的内阻，实现单块电池的大面积化，另一个非常重要的作用就是方便电池的串联或者并联，只需根据需要把主栅极电连接即可，极大地减小了工艺难度，降低了制造成本，为大面积染料敏化电池的导电基底提供了最佳的解决方案。
主 权 项：一种太阳能电池导电基底，包括透明衬底(1)、次栅电极(2)和导电层(3)，其中所述透明衬底(1)与导电层(3)重叠设置，所述次栅电极(2)位于透明衬底(1)与导电层(3)之间横向均匀排列在透明衬底(1)上，其特征在于：所述透明衬底(1)上纵向设置有与次栅电极(2)交错相连的主栅电极(4)。
关 键 词：
法律状态：终止
IPC专利分类号：H01G9/004(2006.01)I;H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I