一种二氧化钛复合薄膜光电极及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200810233010.4 

申 请 日：20081110 

发 明 人：唐笑钱觉时王智党玉栋万煜王华 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20090408 

公 开 号：CN101404216 

代 理 人：胡正顺 

代理机构：重庆大学专利中心 

摘　　要：一种二氧化钛复合薄膜光电极及其制备方法，涉及DSC复合薄膜光电极及其制备方法。本发明产品由导电基片和二氧化钛复合薄膜构成，其复合薄膜由一层低结晶度TiO2和一层锐钛矿纳米晶TiO2介孔薄膜构成。本发明方法是在导电基片上，先制备低结晶度TiO2薄膜，后制备锐钛矿纳米晶TiO2薄膜而得成品。本发明产品组装的DSC短路光电流高达21.98mA/cm2，总光电转换效率达到6.89％，提高了47％。采用本发明产品组装的DSC光电转换效率显著提高。本发明方法工艺简单，成本低。采用本发明方法制备出的产品组装的DSC，可广泛应用于大面积光电转换系统，特别适用于与建筑相结合的外墙、屋顶、门窗、玻璃幕墙等。??全部 

主 权 项： 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：H01G9/20(2006.01)I;H01G9/04(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I