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一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构及方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201910314175.2
申 请 日：20190418
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20190705
公 开 号：CN109964718A
代 理 人：胡逸然
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司
摘 要：本发明公开了一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构,包括设置在消落带区域的种植坑,种植坑内表面设有可降解的防渗层,防渗层上设有植土层,植土层中种植有耐水淹乔灌木树种。本发明还公开了实现上述消落带土质贫瘠区域植物种植结构的消落带土质贫瘠区域植物种植方法。本发明通过设置可降解的防渗层,在植物生长初期降低消落带土质贫瘠区枯水期的水分渗漏,起到良好的保水保肥作用,另外,在植物生长过程中防渗层逐渐降解变得柔软和具有一定的空隙率,使得植物根系生长一定时间后可以穿透防渗层继续生长,形成稳定的生长状态,防渗层最终能够自然降解,不会污染环境。本发明针对消落带区域严苛多变的土壤环境为植物的种植提供一个稳定的环境,实现消落带区域的植被修复进而解决水土流失带来的土壤贫瘠的问题。
主 权 项：1.一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构,其特征在于,包括设置在消落带区域的种植坑,种植坑内表面设有可降解的防渗层,防渗层上设有植土层,植土层中种植有植物。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：A01G17/00