栅控石墨烯纳米带阵列THz探测器及调谐方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510178299.4
申 请 日：20150415
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20180130
公 开 号：CN104795411B
代 理 人：
代理机构：
摘 要：本发明涉及一种太赫兹探测器，更具体的说，本发明涉及一种栅控石墨烯纳米带阵列THz探测器及调谐方法:探测器包括底栅极1和低阻硅衬底2以及设置于衬底上的双层石墨烯纳米带阵列3、源漏电极4和5、绝缘层6、顶栅极7?9、驱动电路10；调谐方法是利用侧向限制与垂直电场作用下双层石墨烯的能隙双重调控机制，构建不同宽度的栅控双层石墨烯纳米带阵列，改变栅压，实现太赫兹波的分段同步扫描，达到宽带探测的目的；形成的太赫兹探测器及调谐方法具有灵敏度高、响应快、探测带宽大、调节灵活、结构简单、便于集成、体积小、可在室温下工作的优点，可广泛应用于安检、缉毒、反恐、医学成像、无损检测、电子对抗、雷达、遥感、外层空间宽带通信等领域。
主 权 项：栅控石墨烯纳米带阵列太赫兹探测器，其特征在于：包括底栅极和低阻硅衬底以及设置于衬底上的双层石墨烯纳米带阵列、源漏电极、绝缘层、顶栅极和驱动电路；所述石墨烯纳米带阵列由多个纳米带间隔排列组成，悬空在衬底上，并连通两端的源漏电极，所述顶栅极分为分别靠近源电极和漏电极的两条以及中间的一条，所述驱动电路按照事先计算好的电压施加在源漏电极、顶栅极和底栅极上，通过测量源漏间电流变化探测信号。
关 键 词：阵列 THz探测器及调谐;带阵列 THz探测器;石墨烯;调谐方法;电子对抗;灵敏度;栅控;安检;反恐;成像;遥感;缉毒;电路;扫描;雷达;响应;医学;检测;设置;绝缘层;
法律状态：
IPC专利分类号：H01L27/144(2006.01)I,H01L31/115(2006.01)I,H01L31/028(2006.01)I