一种分离硅及铝硅合金的方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201510318445.9 

申 请 日：20150611 

发 明 人：余文轴郑忠田茂洪陈红生高小强 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150923 

公 开 号：CN104928486A 

代 理 人：李明;张先芸 

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 

摘　　要：本发明公开一种分离硅及铝硅合金的方法，将过共晶铝硅合金加热至熔化，然后对熔体采用从上到下的吹氩气或氮气搅拌处理，同时对熔体进行向下定向凝固处理，使熔体下部粘度高，上部粘度低，逐渐析出的固相硅颗粒在气流搅拌力的作用下，从上部粘度低的区域运动至下部粘度高的区域，在熔体下部逐渐富集成硅团，得到高纯硅，而上部保留的液相铝硅熔体通过冷却成形，得到铝硅合金锭。本发明方法工艺流程短、能耗低、生产成本低廉；采用本发明方法获得的铝硅合金中硅的含量在11.8%～12.6%之间，铁的含量小于0.5%，余量为铝，铝硅合金成分符合国家牌号标准；获得的高纯硅纯度高于99.999%，品质优良。 

主 权 项：一种分离硅和铝硅合金的方法，其特征在于，将过共晶铝硅合金加热至熔化，然后对熔体采用从上到下的吹氩气或氮气搅拌处理，同时对熔体进行向下定向凝固处理，使熔体下部逐渐富集成硅团，得到高纯硅，而上部保留的液相铝硅熔体通过冷却成形，得到铝硅合金锭。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C22B9/05(2006.01)I;C22C21/02(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I