一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310263158.3 

申 请 日：20130627 

发 明 人：尹华伟李明伟崔启栋程旻周川王邦国胡志涛 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学 

公 开 日：20131009 

公 开 号：CN103343383A 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统，该系统包括拉力传感器和热电偶构成的检测单元，信号处理器和微机组成的控制单元，以及温控器构成的执行单元；该系统能够实时测量生长晶体的质量变化量，并以此为依据来调节水浴降温，使溶液温度降低所带来的过饱和度的增加量与晶体生长所引起的过饱和度的减少量相等，从而实现晶体在恒定的过饱和度下稳定快速生长，抑制生长层和包裹体的产生，提高生长晶体的质量。 

主 权 项：一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统，其特征在于：该系统包括检测单元、控制单元、执行单元；主体结构包括拉力传感器、程控旋转器、热电偶、显示器、信号输出通道、信号处理器、微机、温控器、水浴、加热器、制冷器、搅拌器、生长容器、掣晶杆、托盘、盖板。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：C30B7/08(2006.01)I