一种基于多孔衬底的电阻式NO₂气体传感器及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201611064792.4 

申 请 日：20161128 

发 明 人：周泳朱相宜刘国庆高潮郭永彩 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20170405 

公 开 号：CN106556628A 

代 理 人：黄河 

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 

摘　　要：本发明公开了一种基于多孔衬底的电阻式NO2气体传感器，包括衬底，衬底上喷涂有气敏材料，气敏材料为RGO?SnO2复合材料；衬底以硅片作为基片，基片上表面经过刻蚀形成具有微孔阵列的凹凸面；基片的上表面及下表面均热氧化生长有SiO2绝缘层；气敏材料均匀喷涂在所述基片上表面的SiO2绝缘层上形成气敏薄膜。还公开了该传感器的制备方法:制备RGO?SnO2复合材料溶液作为气敏材料；制备衬底：选取硅片作为基片，在其上表面进行刻蚀，形成具有微孔阵列的凹凸面，然后在基片的上、下表面均热氧化生成SiO2绝缘层，清洗吹干后得到衬底；将气敏材料喷涂到衬底上表面的SiO2绝缘层上，形成气敏薄膜。该传感器能在常温下工作，增强对低浓度NO2的响应性能。该制备方法步骤简单、成本较低。 

主 权 项：一种基于多孔衬底的电阻式NO₂气体传感器，包括衬底，所述衬底上喷涂有气敏材料，其特征在于：所述气敏材料为RGO?SnO₂复合材料；所述衬底以硅片作为基片，所述基片上表面经过刻蚀形成具有微孔阵列的凹凸面；所述基片的上表面及下表面均热氧化生长有SiO₂绝缘层；所述气敏材料均匀喷涂在所述基片上表面的SiO₂绝缘层上形成气敏薄膜。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：G01N27/12