浏览量:0
硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法
专利类型：外观设计
语 言：中文
申 请 号：CN201811020525.6
申 请 日：20180903
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400000 重庆市沙坪坝区正街174号
公 开 日：20181127
公 开 号：CN108897150A
代 理 人：包晓静
代理机构：重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230
摘 要：本发明公开了硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法,解决了现有的太赫兹波调控技术存在插入损耗大、调制深度较窄、响应速度较慢和单元串扰大的问题,其技术方案要点是：包括以下步骤：通过光泵浦技术,使硅层产生光生载流子；将所述光生载流子扩散到石墨烯层,使所述硅层与所述石墨烯层之间界面处形成耗尽层；将所述石墨烯层的费米能级升高进入导带；在所述石墨烯层与所述硅层衬底之间施加反向偏压,使所述耗尽层展宽,具有使太赫兹波调控的调制深度增大、响应速度加快、插入损耗降低和单元串扰降低的效果。
主 权 项：1.硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法,其特征是：包括以下步骤：S1：通过光泵浦技术,使硅层(3)产生光生载流子；S2：将所述光生载流子扩散到石墨烯层(1),使所述硅层(3)与所述石墨烯层(1)之间界面处形成耗尽层(2)；S3：将所述石墨烯层(1)的费米能级升高进入导带；S4：在所述石墨烯层(1)与所述硅层(3)衬底之间施加反向偏压,使所述耗尽层(2)展宽。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：G02F1/015;G02F1/00