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直接投射式光电挠度位移测量装置

专利类型:实用新型 

语 言:中文 

申 请 号:CN01206766.0 

申 请 日:20010707 

发 明 人:朱永陈伟民黄尚廉符欲梅 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区重庆大学光电工程学院(A区) 

公 开 日:20030122 

公 开 号:CN2532475Y 

代 理 人:张先芸 

代理机构:重庆创新专利事务所有限公司 

摘  要:直接投射式光电挠度位移测量装置,包括光发射源、光接收器两部分,光接收器为组合结构,由光电接收靶与硬件处理电路组成并设置在同一壳体内由信号线连接成一体;光电接收靶由接收屏、近场透镜、光电阵列探测器组成;硬件处理电路采用数字芯片的模块化结构电路板。它具有结构简单、成本低、不受距离和灰尘的影响等优点。 

主 权 项:权利要求书1.直接投射式光电挠度位移测量装置,包括光发射源(1)、光接收器两部分;光接收器为组合结构,由光电接收靶(2)与硬件处理电路(3)组成,并设置在同一壳体内由信号线连接成一体,其特征在于:光电接收靶(2)由接收屏(5)、近场透镜(6)、光电阵列探测器组合(7)组成;接收屏(5)、近场透镜(6)、光电阵列探测器(7)及硬件处理电路(3)依顺序平行排列,安装在壳体内同一基座上;硬件处理电路(3)采用数字芯片的模块化结构电路板。 

关 键 词: 

法律状态:授权 

IPC专利分类号:G01N3/08