IGBT老化状态监测方法及装置
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201610223894.X
申 请 日：20160412
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20160831
公 开 号：CN105911446A
代 理 人：谢殿武
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129
摘 要：本发明提供的IGBT老化状态监测方法及装置，其方法包括：通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压，当稳压芯片控制信号为高电平时，测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通；将稳压芯片控制信号置为低电平，使稳压芯片输出电压为零，当IGBT门极电压降至开通阈值电压时，流经IGBT集电极电流为零，控制驱动电压缓慢连续下降，并截取的测量电路输出驱动电压波形和相应的集电极电流波形,获取待测IGBT的传输特性曲线；将通过所述传输特性曲线提取的待测IGBT的导通阈值电压和跨导作为老化状态特征量，对待测IBGT的老化状态进行监测；本发明具有快速、准确的对IGBT的老化状态情况进行检测的特点。
主 权 项：一种IGBT老化状态监测方法，其特征在于：包括a.通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压，当稳压芯片控制信号为高电平时，测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通；b.将稳压芯片控制信号置为低电平，使稳压芯片输出电压为零，当IGBT门极电压降至开通阈值电压时，流经IGBT集电极电流为零，控制驱动电压缓慢连续下降，并截取的测量电路输出驱动电压波形和相应的集电极电流波形,获取待测IGBT的传输特性曲线；c.将通过所述传输特性曲线提取的待测IGBT的导通阈值电压和跨导作为老化状态特征量，对待测IBGT的老化状态进行监测。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01R31/26(2014.01)I