一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法和电路

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201710211737.1 

申 请 日：20170401 

发 明 人：周雒维王博张益孙鹏菊罗全明 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20170711 

公 开 号：CN106941312A 

代 理 人：宋平 

代理机构：北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 

摘　　要：本发明涉及电力电子领域，特别是涉及IGBT的结温平滑方法。其技术方案是一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法：通过改变IGBT关断轨迹，调节IGBT关断损耗，使IGBT的总损耗平衡，从而平滑IGBT结温波动。本发明提供一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑电路：在IGBT的充放电型RCD缓冲电路上增加一个辅助开关S，通过调节S的开通时间，改变IGBT关断轨迹。本发明通过平滑IGBT结温波动显著提高了IGBT的期望寿命，提高系统的可靠性；具有应用范围广、控制简单、控制独立，可以以模块化的方式安装应用等特点，适用于非平稳工况的变流器。 

主 权 项：一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法，其特征是：调节IGBT关断损耗，使IGBT的总损耗平衡，从而平滑IGBT结温波动。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H02M1/08