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一种基于电压调控的可重构太赫兹波超衍射聚焦器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201811024096.X
申 请 日：20180904
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区正街174号
公 开 日：20181218
公 开 号：CN109031685A
代 理 人：包晓静
代理机构：重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230
摘 要：本发明公开了一种基于电压调控的可重构太赫兹波超衍射聚焦器件,涉及太赫兹波聚焦技术领域,解决了现有的太赫兹波技术,虽然实现了超分辨聚焦,但均是基于近场光学原理,焦距极小,难以满足生物医学成像、遥感、安检等应用领域对远场高分辨光学聚焦要求的问题,其技术方案要点是：包括硅层和多个与硅层表面抵接的石墨烯层；所述石墨烯层呈环形状,多个石墨烯层同心设置,相邻石墨烯层之间间距相等；相邻所述石墨烯层之间环设有与硅层抵接的绝缘层；所述绝缘层表面覆盖有导电层,导电层两侧分别与相邻石墨烯层抵触,具有突破太赫兹波衍射极限,达到远场高分辨光学聚焦的效果。
主 权 项：1.一种基于电压调控的可重构太赫兹波超衍射聚焦器件,其特征是：包括硅层(1)和多个与硅层(1)表面抵接的石墨烯层(2)；所述石墨烯层(2)呈环形状,多个石墨烯层(2)同心设置,相邻石墨烯层(2)之间间距相等；相邻所述石墨烯层(2)之间环设有与硅层(1)抵接的绝缘层(4)；所述绝缘层(4)表面覆盖有导电层(3),导电层(3)两侧分别与相邻石墨烯层(2)抵触。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：G02B27/42