含Cu的高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410095293.6
申 请 日：20140314
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20151209
公 开 号：CN103849800B
代 理 人：穆祥维
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212
摘 要：本发明公开了一种含Cu的高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金，其成分按重量百分比为：Zn：4.90~5.20wt.%；Zr：0.50~0.80wt.%；Cu：0.37~2.32wt.%，其余为Mg和不可避免的杂质。制备方法包括熔炼铸锭-均匀化-热挤压等。由于该合金中含有Cu，与Mg、Zn结合生成MgZnCu三元相，使基体中Zn溶质原子大量减少，基体晶格畸变减小，电子散射得到了抑制。因此，经均匀化、挤压后的合金具有良好的导电性，其电磁屏蔽效能得到显著的提高，与不含Cu的合金相比，电磁屏蔽效能提高了17dB以上。有效的拓宽了高导电高电磁屏蔽性能及轻量化镁合金材料在航天军工、微电子等领域的应用范围。
主 权 项：含Cu的高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a)?熔炼铸锭：在SF6+CO2气体保护下，将Mg锭放入坩埚中待熔化后升温至740~760℃，镁合金的成分按重量百分比为：?Zn：4.90~5.20?wt.%；Zr：0.50~0.80?wt.%；Cu：0.37~2.32?wt.%；其余为Mg和不可避免的杂质，不可避免的杂质的总量小于0.06?wt.%；按上述镁合金成分配比量加入纯Zn?锭，Mg?30%Cu，Mg?28.54%?Zr?中间合金；加入方法为：将纯Zn?锭，Mg?30%Cu，Mg?28.54%Zr?中间合金在140~220℃预热15~30?分钟，迅速将其压入Mg锭熔化后的液面以下，待熔化后搅拌，熔体升温至750℃时开始精炼5~10?分钟，搅拌合金熔体在730~750℃静置10~30?分钟，静置完毕后，打捞熔体表面浮渣，在200~300℃的铁模内进行浇铸，浇铸温度为710~730℃；b)?均匀化：将步骤a)?制得的铸锭进行表面车皮，去除头部和底部的铸造缺陷；在390~420℃温度条件下进行均匀化处理，保温时间为10~15h；c)?热挤压：挤压前将均匀化处理后的铸锭和挤压模具在370℃~400℃预热1.5~3小时，挤压温度为370℃~400℃，挤压比为11.5:1，挤压速率为0.90~1.50m/min。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：C22C23/04(2006.01)I;C22C1/03(2006.01)I;C22F1/06(2006.01)I