含有邻羟基的具有共轭结构希夫碱型的可见光光敏剂的合成及应用
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200910104313.0
申 请 日：20090713
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20091216
公 开 号：CN101602819A
代 理 人：郭吉安
代理机构：重庆大学专利中心
摘 要：光敏剂起着吸收光并发生光反应的重要作用。含有邻羟基的具有共轭结构希夫碱型的可见光光敏剂的合成及应用，其紫外可见吸收的峰值达到390nm以上，半峰宽约100nm，完全满足了可见光吸收的要求，并可用于可见光聚合，其化学结构通式如右：其中分子结构式(I)中化合物代表A:R1，R3:H，R2:OCH3，OCH2CH3，OCH2CH2CH3，O CH2CH2CH2CH3，N(CH3)2，N(CH2CH3)2，N(CH2CH2CH3)2，N(CH2CH2CH2CH3)2，N(Ph)2；B:(R1:H，OCH3，R2，R3:OCH3)。本发明通过化学修饰含有邻羟基的具有共轭结构希夫碱型的可见光光敏剂，使其紫外可见吸收的峰值移至390nm以上，可作为可见光光敏剂与紫外光引发剂与其他助剂组成光敏系统用于溶液中烯类单体的可见光聚合或作为光固化材料。
主 权 项：1.含有邻羟基的具有共轭结构希夫碱型的可见光光敏剂，其化学结构通式为：其中分子结构式(I)中化合物代表A:R1，R3:H，R2:OCH3，OCH2CH3，OCH2CH2CH3，O?CH2CH2CH2CH3，N(CH3)2，N(CH2CH3)2，N(CH2CH2CH3)2，N(CH2CH2CH2CH3)2，N(Ph)2；B：(R1:H，OCH3，R2，R3:OCH3)。
关 键 词：
法律状态：撤回
IPC专利分类号：C08F2/50(2006.01)I;C07C251/24(2006.01)I;C07C249/02(2006.01)I;C08F120/14(2006.01)I