高性能n型多孔硅的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810424555.7
申 请 日：20180507
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20181002
公 开 号：CN108611682A
代 理 人：张群峰;钱扬保
代理机构：北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙) 11512
摘 要：高性能n型多孔硅的制备方法,包括：分别采用丙酮、无水乙醇、氢氟酸溶液、由NH3·H2O、H2O2和H2O组成的碱洗液、以及由HCl、H2O2和H2O组成的酸洗液浸泡处理单晶硅片；再使用氢氟酸和N,N#二甲基乙酰胺(DMAC)的电解液体系对单晶硅片进行电化学阳极氧化,同时用碘钨灯照射电解槽；将经阳极氧化处理后所形成的多孔硅从电解槽中取出后清洗；紧接着再将多孔硅放入真空干燥箱中进行干燥。本发明制备的纳米多孔硅性能优良,具有孔隙率和膜厚高、表面均匀性好的特点。本发明反应条件简单,对周围环境、温度要求不高,具有成本低、流程短、操作简便,其复合含能材料能量更高等特点。
主 权 项：1.一种n型多孔硅的制备方法,包括：提供n型单晶硅片；先采用丙酮、无水乙醇分别浸泡处理单晶硅片；再采用10％左右的氢氟酸溶液浸泡处理单晶硅片；然后使用NH3·H2O:H2O2:H2O＝1:1:5(体积比)的碱洗液浸泡处理单晶硅片；接下来再使用HCl:H2O2:H2O＝1:1:5(体积比)的酸洗液浸泡处理单晶硅片；继续用蒸馏水洗净单晶硅片；再将单晶硅片固定在电解槽中,加入氢氟酸和N,N#二甲基乙酰胺(DMAC)的混合溶液作为电解液对单晶硅片进行电化学阳极氧化,同时用碘钨灯照射电解槽；将经阳极氧化处理后所形成的多孔硅从电解槽中取出后用蒸馏水清洗后再用无水乙醇清洗；紧接着再将多孔硅放入真空干燥箱中进行干燥。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：C30B29/06;C30B33/10;C25D11/32