专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201810012095.7
申 请 日:20180105
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20180629
公 开 号:CN108226830A
代 理 人:赵荣之
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要:本发明属于核磁共振领域,涉及一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构;通过对谐振单元的结构设计,通过对谐振单元中上贴片单元与下贴片单元形状的设计,以及对谐振单元中电容的调整,实现对传递系数最大频率点的调整,根据目标区域的具体结构,采用阵列结构的形式来布置谐振单元,将谐振单元的阵列结构布置在目标区域和射频线圈之间,从而实现对核磁共振磁场射频能量的加强,实现在固定功率的情况下,扩大射频磁场的目标区域、提高射频磁场的发射距离的功能,解决了在一定功率的情况下射频线圈很难激励到更远区域的技术问题。
主 权 项:1.一种用于加强射频能量的谐振单元,其特征在于:包括用于传递电流并产生感应磁场的上贴片单元与下贴片单元,所述上贴片单元与下贴片单元通过过孔相连;所述上贴片单元与下贴片单元组成呈“回字形”的立体结构,所述过孔设置在所述立体结构的几何中心处;所述上贴片单元和下贴片单元均由导体材料制成。
关 键 词:谐振单元;阵列结构;目标区域;射频能量;射频磁场;射频线圈;贴片单元;核磁共振磁场;传递系数;发射距离;固定功率;核磁共振;最大频率;远区域;电容
法律状态:
IPC专利分类号:G01R33/34(2006.01)I,H01P7/00(2006.01)I,H01P7/08(2006.01)I,H01Q1/38(2006.01)I,H01Q21/06(2006.01)I