一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法及其产品

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201811209715.2 

申 请 日：20181017 

发 明 人：臧志刚杨波 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20190115 

公 开 号：CN201811209715.2 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明公开了一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法及其产品。本发明涉及的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法具有制备温度低、制备条件方便简单、且无需退火等优点，使其可直接在柔性基底上制备，从而制备得到具有高的光电转化效率的太阳能电池。本发明制备得到的太阳能电池包括透明导电FTO基底层、In₂S₃电子传输层、CsPbIBr₂钙钛矿吸光层、Spiro?OMeTAD空穴传输层以及金属背电极，In₂S₃作为电子传输层有助于形成高质量钙钛矿吸收层，同时In₂S₃电子传输层与CsPbIBr₂钙钛矿吸光层导带位置相近，可在一定程度上降低电池开路电压的损失，从而提高太阳能电池的光电转化效率。 

主 权 项：1.一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)进行透明导电FTO基底预处理；(2)水浴法在透明导电FTO基底上制备In2S3电子传输层；(3)一步旋涂法在In2S3电子传输层上制备CsPbIBr2钙钛矿吸光层；(4)旋涂法在CsPbIBr2钙钛矿吸光层上制备Spiro?OMeTAD空穴传输层；(5)在Spiro?OMeTAD空穴传输层上蒸镀金属背电极。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H01L51/42;H01L51/00;H01L51/46;H01L51/00;H01L51/48;H01L51/00;H;H01;H01L;H01L51;H01L51/42;H01L51/00;H01L51/46;H01L51/00;H01L51/48;H01L51/00