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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN200810069438.X
申 请 日:20080307
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400030重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20090708
公 开 号:CN101477081
代 理 人:康海燕
代理机构:重庆华科专利事务所
摘 要:本发明提出一种在微芯片中进行微结构加工和表面修饰的方法,该方法所采用的芯片上有微通道网络,通过进、出样口与外界管道连接。微通道畅通,用于液体的流动。芯片下方由永磁体或者电磁线圈产生磁场。通道的底部很薄,有利于磁场穿透。芯片通道中流动的磁珠悬浮液中的磁珠在磁场作用下,可以固定在通道的底部。通过加载或者移开磁场可控制磁珠的固定情况。本发明中芯片结构简单,易于加工。产生磁场的结构也容易制作,有利于推广。它可以用于在微芯片上形成特定的微结构来完成一定的功能,也可以利用微小的磁珠颗粒来形成一定的表面修饰图案,用于生化等相关研究。??全部
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法律状态:
IPC专利分类号:G01N27/72(2006.01)I;G01N33/50(2006.01)I;C12Q1/00(2006.01)I