专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201510840116.0
申 请 日:20151127
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20160406
公 开 号:CN105470082A
代 理 人:唐开平
代理机构:重庆大学专利中心 50201
摘 要:本发明公开了一种电子束90度偏转器,它包括金属偏转阳极、金属偏转阴极和偏压电极片,金属偏转阳极位于90度圆弧的内层,金属偏转阴极位于90度圆弧的外层,两块偏压电极片通过螺栓和刚玉陶瓷垫片贴压在金属偏转阳和金属偏转阴极的两侧面,由金属偏转阳极、金属偏转阴极和两块偏压电极片所围成的空腔构成偏转器通道,金属偏转阴极上开设有从正面直射光阴极的激光通孔,金属偏转阴极内壁弧面设有沟槽,沟槽内嵌插有超薄玻璃。本发明的优点是:激光正面垂直入射微米级打在光阴极,避免了现有电子束90度偏转器电极开较大孔径空洞对内电场畸变的影响,有效的提升了电子显微术的时间和空间分辨率。
主 权 项:一种电子束90度偏转器,包括有金属偏转阳极(1)、金属偏转阴极(4)和偏压电极片(3),金属偏转阳极(1)位于90度圆弧的内层,金属偏转阴极(4)位于90度圆弧的外层,两块偏压电极片(3)通过螺栓和刚玉陶瓷垫片(2)贴压在金属偏转阳极(1)和金属偏转阴极(4)的两侧面,由金属偏转阳极(1)、金属偏转阴极(4)和两块偏压电极片(3)所围成的空腔构成偏转器通道(8),金属偏转阴极(4)上开设有从正面直射光阴极(12)的激光通孔(5),其特征是:金属偏转阴极(4)内壁弧面设有沟槽(9),沟槽内嵌插有超薄玻璃(10)。
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:H01J37/147