可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201610114574.0
申 请 日：20160301
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20181019
公 开 号：CN105742826B
代 理 人：王翔
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开一种可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料。通过将超材料的谐振单元移离其中心位置,并旋转一个角度，改变其对于电磁波的透过特性。使得原本的偶极子变成四偶极子，共振得到增强,使其在近红外波段中形成一个尖锐的高品质因数的法诺共振，从而增强对近红外光的吸收。本发明可应用于光电池、慢光、传感、非线性及光开关等领域。
主 权 项：一种可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料，其特征在于:包括介质层(1)和金属层(2)，以及形状相同的谐振子A和谐振子B；所述介质层(1)材料选自硅、二氧化硅或锗，厚度为20纳米至10微米；所述介质层(1)覆盖于金属层(2)上方，其材料选自Al、Ag、Au、Cu或Ni，厚度为20纳米至10微米；所述谐振子A和谐振子B形成于介质层(1)的上表面，其材料选自Al、Ag、Au、Cu或Ni，高度为1纳米至1微米；所述谐振子A和谐振子B均为柱体。所述谐振子A和谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的中心点关于介质层(1)上表面的中心点对称；所述谐振子A和谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的中心点的连线所在的直线记为x轴；所述谐振子A在介质层(1)上表面投影图形的对称轴记为线段K1；所述谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的对称轴记为线段K2；线段K1垂直于x轴，线段K1与线段K2夹角为α，α＞0°。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01Q17/00