零偏置磁传感器探头
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201310021956.5
申 请 日：20130122
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20141022
公 开 号：CN103105591B
代 理 人：侯懋琪;侯春乐
代理机构：重庆辉腾律师事务所 50215;重庆辉腾律师事务所 50215
摘 要：一种零偏置磁传感器探头，所述磁传感器探头的感应部由磁电复合材料构成，所述磁电复合材料由两个磁致伸缩材料层和一个压电单晶材料层组成，两个磁致伸缩材料层顺次层叠在压电单晶材料层的一侧形成三层结构的磁电复合材料；两个磁致伸缩材料层的材质不同，从而使两个磁致伸缩材料层的磁导率和矫顽力存在数值差异，这种数值差异导致磁电复合材料内产生内部磁场，使得零偏置磁场条件下，磁电复合材料就能对外部的微小磁场变化作出反应，最终使磁传感器探头的灵敏度得到提高、缩小磁传感器探头的体积。本发明的有益技术效果是：提出了一种可在零偏置磁场条件下对微小静态磁场进行探测的传感器，该传感器结构简单、体积小巧，适用范围广。
主 权 项：一种零偏置磁传感器探头，其特征在于：所述磁传感器探头的感应部由磁电复合材料（5）构成，所述磁电复合材料（5）由两个磁致伸缩材料层（5?1）和一个压电单晶材料层（5?2）组成，两个磁致伸缩材料层（5?1）顺次层叠在压电单晶材料层（5?2）的一侧形成三层结构的磁电复合材料（5）；两个磁致伸缩材料层（5?1）的材质不同，从而使两个磁致伸缩材料层（5?1）的磁导率和矫顽力存在数值差异，这种磁导率和矫顽力的数值差异导致磁电复合材料（5）内产生内部磁场，使得零偏置磁场条件下，磁电复合材料（5）就能对外部的微小磁场变化作出反应，最终使磁传感器探头的灵敏度得到提高、缩小磁传感器探头的体积。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：G01R33/02